岡山大学が最先端半導体技術の新しい解析手法を発表

岡山大学が新たな半導体技術を発表

2025年6月20日、国立大学法人岡山大学と国際共同研究チームが、最先端の半導体PN接合を解析するための新しい分析手法を発表しました。この技術は、シリコンウェハ内部に埋め込まれたPN接合の深さを非破壊かつ非接触で、ナノメートル級の精度で測定できるものです。

新技術の概要

新しく開発された分析方法は、シリコンウェハにフェムト秒レーザーを照射し、その結果として発生したテラヘルツ波を観察する仕組みです。この技術を用いることで、PN接合から放射されるテラヘルツ波と、光励起された電子の動きを関連付ける単純化モデルが提案されました。このモデルにより、電子の動きや内部電界に関する情報を抽出し、PN接合がシリコンウェハの表面近くにどれくらいの深さで形成されているかを、非常に高い精度で推定することが可能となります。

この技術は、三次元LSI（大規模集積回路）などの次世代半導体デバイスの開発において重要な役割を果たし、従来の製造プロセスの信頼性向上と省エネルギー化にも寄与することが期待されています。これにより、半導体産業の進展が後押しされることでしょう。

特任教授のコメント

岡山大学の特任教授、斗内政吉氏は次のようにコメントしています。「半導体産業の再興は、日本の復活にとって重要なカギを握っています。新たな材料やデバイスの開発が注目されていますが、3次元LSI開発を支えるために、新しい分析技術の必要性も高まっています。この分野は地味に見えるかもしれませんが、半導体の分析技術も非常に重要です。」

研究成果の重要性

この新技術は、半導体産業における信頼性や効率を向上させ、製品の性能を引き上げる手助けとなります。これにより、ユーザーにとってより優れた半導体デバイスが提供されることでしょう。また、研究は科学研究費補助金の支援を受けて実施されました。

論文の詳細は、Springer Nature発行の「Light: Science & Applications」に掲載され、近年の半導体技術の進展に寄与することが期待されています。

未来への期待

この新しい分析手法が実用化されることにより、これまで以上に高性能の半導体デバイスの開発が進むことが予想されます。今後の半導体産業へのインパクトに目が離せません。岡山大学の取り組みは、地域社会の発展にも寄与することでしょう。

近い将来、岡山大学は半導体技術の進展において国際的なリーダーシップを発揮し、世界の技術革新に貢献することが期待されています。